俄罗斯无法自行生产芯片，各大半导体厂响应美国制裁，将对其高科技发展产生冲击。（示意图）
俄罗斯媒体先前爆料，从中国厂商拿到的芯片故障率达4成，是以前2%的20倍，代表几乎一半的芯片完全不能用。俄罗斯科学院则喊话要迈向半导体自主道路，宣称自行研发的曝光机将问世，2028年将可推进7奈米制程，而且可以击败荷兰半导体设备大厂艾司摩尔（ASML）同类产品。
俄罗斯持续发展本土半导体制造业，但美国及西方各国联合制裁，台湾也跟进断供，导致俄罗斯芯片短缺，专注智慧财产授权的安谋（ARM）公司，也无法将他们的技术授权给当地的芯片设计师。但俄罗斯似乎一点也不担心，根据知名硬件网站《Tom's Hardware》报导，俄罗斯大诺夫哥罗德策略发展机构（Novgorod Strategy Development）宣称2028年开发出可以生产7奈米芯片的曝光机，而且可击败ASML同类产品，即ASML Twinscan NXT:2000i DUV。
俄罗斯大诺夫哥罗德策略发展机构宣称，俄罗斯科学院旗下应用物理研究所将会跌破所有人眼镜，生产出7奈米芯片。报导指出，俄罗斯政府为此推出一项国家计划，积极培养当地半导体人才。
俄罗斯科学院奈米结构研究所副所长Nikolai Chkhalo则说，近20年来ASML致力于发展EUV曝光机，目标是让顶尖半导体厂商保持极高的生产效率，但俄罗斯并不需要，只要根据国内的需求向前推进即可。
但报导认为，俄罗斯的想法似乎太过天真，直指晶圆厂并非光靠曝光机就可生产出芯片，还需要许多设备，但俄罗斯并不生产这些设备。推测俄罗斯想在6年内研发出可生产7奈米芯片的曝光机，实际可行性并不高。
俄罗斯商业媒体工商日报（Kommersant）先前报导，在俄乌战争发生后，从中国厂商运往俄罗斯的半导体，故障率高达4成，比战争前的2%还要多出许多，代表中国供应的芯片有很大的品质问题。
俄罗斯决定实行芯片自主计划，先前喊出2030年投资约3.19兆卢布，目标是2022年底前量产国产90奈米制程芯片，以及2030年底量产国产28奈米制程芯片，但外界普遍认为要实现目标恐非常困难。
